推 powerdown:理論上是要考慮ro，但直流偏壓分析時，因為ro大， 10/04 12:03
→ powerdown:故電流很小，可不考慮。題目有給通常表示小信號分析時 10/04 12:04
→ powerdown:一定要考慮ro,尤其是積体氏類比電路 10/04 12:05
推 kameng:dc也要考慮，前提是你有那個恆心 10/04 15:47
推 faith2003:題目都已經給VA了..就是要把ro考慮進去 10/06 00:57
請問一下
MOS在直流時
需要考慮channel length modulation effect嗎?
MOS在飽和區時理想上是一條水平線(iD-vDS圖形)
可是vDS增加時(以NMOS為例) drain-body反偏增加 空乏區擴大
通道會夾止 甚至往source端shift
電流會微量上升
理論上應該直流要考慮才對 不曉得我說的是對或錯..
因為最近有做一題common source放大器
其drain端就是接一個以PMOS做成的current mirror
題目有給early voltage
我只是想問
做直流分析的時候 飽和電流公式0.5up*Cox(W/L)(VGS-Vtp)^2=IREF
須改成 0.5up*Cox(W/L)(VGS-Vtp)^2*(1+VSD/VA)=IREF嗎?
謝謝賜教^^
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