[問題] MOS的 gate 被打穿

[ccjin (半年之後你會變怎樣)]

與圖8.1-3所示，輸入級電路的閘級在那瞬間即因過高的電

壓跨在閘級氧化層(gate oxide)上而被打穿

http://www.ics.ee.nctu.edu.tw/~mdker/ESD/chap8/html/8-1.html

請問打穿是什麼意思 還是說 V_GS 過大 所以導致電流太大 MOS 燒壞?


還有不清楚

通常MOS為了耐高壓 用大的尺寸

加大W 跟 L

感覺上阻值還是固定的

並無法達到利用高阻值限流

何解?

謝謝


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◆ From: 1.169.178.237
→ jsp0520:加大尺寸是為了快速輸導ESD電流,限流會在輸入端掛一個大約
→ jsp0520:百~K歐姆等級的poly電阻
推 mmonkeyboyy:擊穿的意思就是多了一條VGB的電流
→ mmonkeyboyy:如果你說的是gate端擊穿
→ mmonkeyboyy:加大W&L 雖然阻值一樣 可是從 VDS往內看就不一樣了
→ mmonkeyboyy:這是比較要從device去想的方法
→ mmonkeyboyy:一般來說如果Vgb失去控制力就可以說是擊穿了
→ ccjin:對不起 VDS往內看是什麼意思 , 還有 VGB 多了電流會有什麼
→ ccjin:影響嗎 正常是不會有的
推 mmonkeyboyy:VGB正常沒有電流 但被擊穿後 oxide的功用就沒了
→ mmonkeyboyy:VGB中間就有可能有path 以會有Igb
→ mmonkeyboyy:想像一下3D的MOS 加大之後MOS size變大
→ mmonkeyboyy:R一樣可是SIZE變大 會比較reliable
→ mmonkeyboyy:我講的是從 DEVICE角度去看囉
→ ccjin:thx
推 phyaim:高中物理 E=V/L 相同VDS 但L加大E會比較小
→ sneak: 如果你說的是gate端 https://noxiv.com
→ sneak: 這是比較要從devic https://daxiv.com