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請問CMOS的Breakdown是可逆性嗎? 也就是說當pn junction的反向偏壓原本超過Vbk後再變小,電晶體會變回正常嗎? 另一個問題是: 若CMOS的breakdown是不可逆性的話, CMOS的breakdown模式是否需要在一段時間內,pn junction反向偏壓超過Vbk, CMOS才會發生breakdown 還是說只要一瞬間,pn junction 反向偏壓超過Vbk CMOS就會發生breakdown? 謝謝指教 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 123.195.41.115
mos888tw:D-S瞬間崩潰一下還ok,gate瞬間打穿就沒救了 11/26 11:40