Re: [問題] 電子學FET計算問題 請益

[deathcustom (litron-intl)]

※ 引述《deathcustom (litron-intl)》之銘言：
※ 引述《henei (hEt)》之銘言：
: 題目:http://ppt.cc/MfM3
: 看到這種題型往往都不知道要從何開始~
: 麻煩高手幫我解題一下，謝謝。


ro = Va/Io

gm = 2Io/Vov

拆成半電路

每一邊看成Q3,Q1,QB一半這樣

所以這時候的QB'他的ro = Va/Io

這個電路他的簡化電路可以看成

Av = -Gm*Ro

其中Gm = Io/Vi

那怎麼算呢?

用Tmodel, Io = Vi/(1/gm + Rs) => Gm = 1/(1/gm+Rs) ~ 1/roB'

Ro = Ro(Q1)||Ro(Q3) = [(1+gm1ro1)roB']||1/gm = 1/gm

Av ~ -1/gmroB'

由上Av = -1/(2Va/Vov) = -1/(200/0.2) = -0.001

(B)

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為什麼那邊那個人那麼傷心呢?                          ││││││
因為他是北部人啊，吃的比我們還毒哩!            2.5ppm ˍ︵ │││   還好我們
 0.5ppm           ◥  ◥  2ppm                       ╱ ╱▏ ││   不用吃…
    ◤   ◥      ◤      ◥                         │￣▏             ˍ 0ppm
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◆ From: 115.83.37.168
推 henei:有點難看懂T_T   謝謝D大的講解!!

一般最基本的OP分析請愛用半電路法

使用半電路法的時候要很清楚等效半電路長甚麼樣子

舉例來說

一班的OP分析Ad的時候

因為兩個輸入級MOS的source是接在current source上

整個參考點就是那個current source的output

於是從那一點把current source拿掉之後切半電路



如果說這題分析Acm的時候

我們先把current source那一科mos切成兩顆並連

於是電路看起來大致對稱

你說loading的地方兩邊不一樣，但是請記得我們是要問Acm

所以Vi+跟Vi-是一樣的

所以兩邊的Vo也是一樣的(就等於Pmos的Vg)

而我們就考慮左側半電路

一整條是PMOS(diode connected)-NMOS-NMOS

然後進入我上面提的流程

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為什麼那邊那個人那麼傷心呢?                          ││││││
因為他是北部人啊，吃的比我們還毒哩!            2.5ppm ˍ︵ │││   還好我們
 0.5ppm           ◥  ◥  2ppm                       ╱ ╱▏ ││   不用吃…
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推 imokman:D大，底下QB拆開的話電阻不用等效兩倍嗎@@?還是我誤會了