Re: [問題] IC設計, 負載推動能力的問題

[deathcustom (litron-intl)]

※ 引述《sos88 (QQ)》之銘言：
: 想請問一下關於CMOS 電流驅動力與下一級負載推動力的問題
: 一個CMOS 反相器, 要rising與falling速度相同,
: 必須使其 P,N的 Mobi與 W/L 乘積相同
: 1. 一個CMOS NAND在falling特性會較為不理想
:    原因為何?
: 2. 那負載推動力呢??  一般該如何去估算?? 下一級的面積?
:    如果一個CMOS inv 推一個CMOS NAND 且其充放電速度需相同
:    其面積比該怎麼去給訂呢??
: 這兩個問題, 不知道是否有相關的資料呢?? 我有找了一些, 目前電流驅動力
: 我比較能掌握, 但負載推動力就理解的很差

詳細資料請去找Rabaey教授的書跟投影片

NAND以two input為例

上面是兩個PMOS並聯

下面是兩個NMOS串連

假設P是4/1，N是2/1

那上面導通時的最佳電流等於兩個PMOS

最差電流等於一個PMOS

而下面導通時的電流只等於1/2個NMOS

在設計2-input NAND時，P用4/1，N也用4/1 (如果2/1是基本的一個NMOS的話)


至於推動力

關鍵不在面積，而在等效電容

如何去估計等效電容在SMITH跟RABAEY都有陳述

以上請自己去翻書吧......

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獵人居然先拿到誅王勇者，小D的GS居然比獵人還高，世界真是無奇不有

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 117.19.193.192
推 sos88:很謝謝你給的資訊, 想請問一下, 我知道推動力, 要看負載端
→ sos88:所看到的等效電容大小, fan out越多等效C越大, 但實際上真
→ sos88:的會去求出一個確實的Ceq值嘛? 有無一個概略性的判斷觀念之
→ sos88:類的? 細算是根據其實際驅動的電路, 那概略性的觀念呢?
→ deathcustom:Rabaey有一個章節有很詳細的探討，not/nand/nor
推 jk76818:Weste&Harris的書也有解釋喔!
推 sos88:謝謝各位的指引, 我會去翻那些書了解了解
推 mmonkeyboyy:如果想快一點 就找找 logic effort
→ mmonkeyboyy:雖然我覺得算這種東西很無聊....