※ 引述《Proakis (John G. Proakis)》之銘言：
: By the law of electrical neutrality
: Total positive charge density=Total negtive charge density
: N_D+p=N_A+n (1)
: 為什麼 N_D(N_A) 有正(負)電荷?
在這裡的 electrical neutrality，即『電中性』指的是就一塊半導體中，我們引入
摻雜(doping)的概念，該材料中含有Nd(施體,donor)與Na(受體accept)，與電子、電洞，
彼此之間的關係是
Na¯ + n0 = Nd﹢ + p0
Nd﹢:施體離子(因為失去電子，所以呈正電)
Na¯:受體離子(因為獲得電子，所以帶負電)
p0 :平衡時的電洞濃度
n0 :平衡時的電子濃度
也就是你寫的Total positive charge density=Total negtive charge density
這公式告訴我們，在本質半導體(intrinsic semiconductor)中，自身是電中性
且所加入的摻雜原子亦是中性。
PS.
承上，在導帶的淨電子濃度為 n0 = p0 + (Nd﹢- Na¯)
在n-typt半導體中(n0 >> p0)且所有的雜質都離子化，我們可以近似得到:
n0≒Nd - Na
: The net charge density in a semiconductor is
: ρ=[1.609(10)^-19](p-n+N_D-N_A) (2)
: 1跟2好像會衝突...我永遠都會得到 zero charge density in (2)
承上的結論，一個電中性的物體有相同數量的正負電荷，因此淨電荷為零。
現在，你所描述的ρ=[1.609(10)^-19](p-n+N_D-N_A)
表示有淨電荷存在，這表示該半導體處於非平衡狀態下，像是有溫度變化或是外加電場
亦有可能是P-N接面剛接觸時。
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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話！
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就要有schedule delay的準備！
但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割！
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