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製程裡面都會說這個mos是幾伏特的 指的是gate的電壓上限嗎 但我看paper有時會看到他們會設計保護電路來避免單個mos的vds過高 請問單個mos的vds過高會有什麼問題嗎 如果有的話能從TSMC or UMC的製程檔裡找到drain與source端的電壓上限嗎 感激不盡 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.31.130.135
windboy0620:oxide可能會breakdown 會有HCI等效應造成device 03/01 22:21
windboy0620:特性degrade 03/01 22:21