作者kk123 (阿熊)
看板Electronics
標題[問題] 65nm製程, 200mA電流輸出的LDO
時間Thu Apr 12 22:25:13 2012
最近本人所在的部門很幸運的接了某客戶妥託設計一顆 65nm, 200mA電流輸出的LDO (IP)
但.... 我以前只有在 0.6um 下作過 300mA 的 LDO (IC)，有tape-out驗證過會動。
因為我們部門之前沒有人下過 65nm 的...
所以想問問看板上的高手，
從 0.6um porting 到 65nm 的話，有什麼項目要特別注意的嗎？
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◆ From: 220.132.98.121
→ jacobliu:用core device還是IO device? 04/13 12:21
→ jfsu:65nm? SMIC的嗎? 04/13 12:22
→ kk123:因為VDD最高到3.3V，只能用IO Device 04/13 14:14
→ kk123:回J大，不是Smic的XD. 04/13 14:15
推 Williamette:LDO很難有差吧 XD 直接port到40nm應該也能用 04/13 23:36
推 lusitani:元件的IV特性多run一點和原本.6製程的比較,作為修改依據 04/14 06:56
→ lusitani:和core部分透過level shifter連接控制的地方要注意 04/14 06:56
→ lusitani:避免跨不同power domain的esd問題 04/14 06:57
→ young000:既然用IO device, 那設計差異沒有想像中的大,但 layout 04/15 01:27
→ young000:應該要求會嚴格很多... 04/15 01:27