作者jamtu (月光下的智慧)
看板Electronics
標題Re: [問題] ADC的線性度調整問題
時間Fri Sep 14 23:04:07 2012
※ 引述《h94jo3cl4 (安卓)》之銘言：
: 標題: [問題] ADC的線性度調整問題
: 時間: Fri Sep 14 19:32:09 2012
:
: 可是測量出來的ENOB卻很小，原因是因為Bootstrapped switch的線性度很差
在講這句話之前，必須非常非常確定這件事情
否則會往錯誤的方向去鑽
: 學長說Bootstrapped switch不需要gain，所以size用最小的就可以了
這句話不對，size小的話Ron就會大，開關打不開
你一個週期的settling根本就到不了
Ron跟寄生電容永遠是一個trade-off
: 我原先的想法是clks到clksb的inverter的size要比電路中其他的MOS小一點
: 可是我發現inverter的size和其他MOS的size維持一定的比例(不管是大或小)
: 就可以使Bootstrapped switch的ENOB稍微提高，
: 而且size越大，enob似乎也Bootstrapped switch.會越高(?)
: 可是也無法達到爬文中說Bootstrapped switch的ENOB很容易就可以達到的11、12bits
你必須更了解switch的特性
建議你想辦法去對應Ron，寄生電容之間參數的關係
如果只是專題當然不用這麼認真
想做到比較好，斤斤計較是不可避免的
: loading的電容論文中有提供，Bootstrapped switch中的Cs我也發現好像越小ENOB就會差
: (Cs目前用100p，會不會太大)
: 請問各位前輩我該怎麼提高Bootstrapped switch的ENOB呢？
: 謝謝各位前輩
你目前做電路的方法是亂try
以及看到一個狀況就隨便找一個原因去歸咎
建議你去固定某一些parameter，並利用最基本的原理去觀察
ex.觀察你每個cycle是否電容都有充飽電？
電容電沒辦法充飽，當然電路performence會掉
此時要看是否電容太大？Ron是否太大？
Ron若太小，加大size，寄生電容是否影響behavior？
另外你如何歸結boot-strapped switch線性度很差？
你有打full-swing的sine-wave去觀察他的Vds是否相同嗎？
boot-strapped目的就是提升線性度，會不會是你電路用錯了？
如果是ENOB掉，真的是線性度的問題嗎？
是不是你寄生電容太多，頻率操太快，電容沒充飽
甚至是comparator根本就fail
那顆comparator很難懂唷
SAR很難做滴 加油
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◆ From: 27.105.1.48
推 bulcas:其實我覺得 ADC 都很難做....QQ 09/14 23:19
推 h94jo3cl4:謝謝前輩！！！ 09/14 23:22
→ h94jo3cl4:剛剛的確有發現頻率操太快的問題！ 09/14 23:22
→ h94jo3cl4:我會再多次檢查的！！！ 09/14 23:23
推 h94jo3cl4:在觀察ADC時，是用.TRAN分析，要怎麼觀察各個工作點的 09/14 23:58
→ h94jo3cl4:Ron和寄生電容呢？ 09/14 23:58
→ h94jo3cl4:paper中有用cross-couple capacitor解決寄生電容問題 09/14 23:59
→ h94jo3cl4:我是不是就可以把Ron調小就好了呢？ 09/15 00:00
→ jamtu:DC點可以看等效Ron 09/15 02:08
→ jamtu:其實大家做電路一開始都亂try啦 只是try久了會慢慢找到原因 09/15 02:09
→ jamtu:要把變因分離開來慢慢處理 加油 09/15 02:09
推 mos888tw:所已類比如果有個有經驗的高手來帶 成長速度會快很多 09/15 09:48
推 h94jo3cl4:請問前輩用DC點看等效Ron是把Vds/Id嗎？ 09/15 10:05
推 mmonkeyboyy:推 trial and error 09/15 23:44