剛剛研讀史密斯數位部分
想請教關於這兩者dynamic cmos 的非理想現象的觀念
（課本敘述不多
1.
leakage 發生在mos飽和區的的逆偏電流
所以nmos 會流到ground（body
pmos則是到Vdd(body
2.
charge sharing 則是因為vds不等於零
於是有drain to source的電流
（條件是Vgs>Vt )
進而使ds兩端的電容電量相等
以上是我作出的小小結論
想請版友們指點。
謝謝！
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