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想請問一下lod effect 我大概了解這效應 有些rfmos layout在s/d旁邊會有兩根floating的polygate,請問一下這兩根是要抑制lod effect的影響嗎? 謝謝各位大大 -- posted from android bbs reader on my samsung GT-N7100 https://market.android.com/details?id=com.bbs.reader -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 115.82.219.123
jfsu:match用? 02/26 21:41
jsp0520:T的design rule有說明 02/26 22:51
liuintel:DRC DOC? 02/26 23:24
jamtu:你是說 load effect? 02/27 12:07
owenroy:lod , wpe effect ,在先進製程要注意 02/27 12:24
greengoblin:應該是matching用吧 02/27 15:34
wwwsky:match用的 02/27 22:04
deathcustom:length of diffusion, LOD effect 02/27 23:24
deathcustom:如果確實做好dummy cell layout的話會好一點 02/27 23:25
deathcustom:但是在非先進製程中,很多學生/工程師為了求快,並不 02/27 23:26
deathcustom:會有加dummy的習慣 02/27 23:26
jamtu:floating主要是gate下面吃得夠不夠均勻 02/28 13:11
jamtu:要解決LOD effect應該還是使用其他的作法 02/28 13:11
BuBuChen:poly gate matching 02/28 21:08
sneak: 要解決LOD effe https://noxiv.com 08/13 19:36
sneak: 你是說 load ef https://daxiv.com 09/17 23:29