推 mmonkeyboyy:STTRAM有優勢也有劣勢 我猜還是會用來做last level 05/08 11:26
→ mmonkeyboyy:cache比較有機會 至於RRAM應該還是走向SSD方向 05/08 11:27
→ mmonkeyboyy:中間的MEMORY就再說了啦 05/08 11:27
→ mmonkeyboyy:但中間也是最該換的是沒錯 :D 05/08 11:28
※ 引述《proach ( )》之銘言：
: ※ 引述《jfsu (水精靈)》之銘言：
: : Memory分為 ROM與RAM
: : ROM:
: : 1.只能寫入一次: Mask ROM或是PROM(fuse)
: : 2.可以重複的寫入: EEPROM/Flash (NOR/NAND)
: : Flash其實是比較像EEPROM。
: : RAM:
: : 1.Volatile RAM: SRAM/DRAM
: : 2.Non-Volatile RAM: FeRAM/MRAM/PCRAM/RRAM
: 就我看來，放 code, app, data.. 叫做 ROM, 程式運作的空間叫做 RAM
: 這樣一般人比較聽得懂，就跟 LCD TV with LED backlight 叫做 LED TV
: 一樣，錯得很離譜，但是市場上一般人都懂，願意掏錢。
: j兄顯然不是一般人 :)
嗯，以斷電之後資料是否能存在來分的話，會比較清楚。
若就應用而言，則誠如poach所述。
手機的話，code的存放多半是NOR Flash(SPI)+LPDRAM，資料則是放在NAND Flash
ps.Parallel Flash的市場正在萎縮中～而且以後可能用NAND來取代NOR。
至於用做Storage Memory，如目前的固態硬碟(SSD)，雖然NAND Flash(SLC/MLC)
仍佔大宗，但將來應該是NVRAM的天下了。
下一代的記憶體(> 1Tb)就看STT-RAM與RRAM的表現。
大家開始押寶了嗎？XD
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