※ 引述《woko (孤.獨.一.痕)》之銘言：
: 最近在研究bandgap的設計,
: 發現好像無論用哪種架構都必須掛上被動元件的電阻,
: 但就我之前得到的資訊,
: 在IC中用被動元件的方式所實現的電阻是不穩定的(易受製程變異影響),
: 請問這個觀念是正確的嗎?
: 另外有沒有將這個被動電阻改用主動元件實現的相關研究呢(比如說要打的關鍵字)?
: 感謝~~
幫補一下推文的東西。
Bandgap的電壓當然可以trimming，你說的用電或光的燒熔那是其中一種方式。
你也可以做一個小小的mini array(在flash memory中稱之為 option bit)
藉由調整option bit，可以將bandgap的電壓予以調整(電阻分壓)。
好比你可以用 option<1,2>來獲得 00, 01, 10 11共四組不同的電壓。
因為你是調整分壓電阻的比率而不是調整電阻的絕對值，所以出來的電壓很準。
至於製程變異...嗯，看你的bandgap輸出的精確度是要到多少。要是它的輸出大約在
幾百mV，那其實是沒差...要是想控制在幾十mV或是數個mV，那就要非常小心。
(製程做好一點，layout match畫好一點，circuit design就能經輕鬆一點
魚幫水，水幫魚咩...)再者，使用主動元件得要考慮慮到耗電。
就個人經驗而言，以目前接觸過的電路，是還沒用到主動元件啦...精確度約在25mV上下。
耗電約數十uA。
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