作者numbtkb (numbtkb)
看板Electronics
標題nmos charge pumping
時間Fri Dec 4 12:53:59 2015
如題 nmos body端有二極體的話 我量charge pumping vbase從負掃到正。可是在閘極負
電壓時 二極體就導通 這樣就量不到i cp了
總結問題
1.mos裡基底端有二極體這是什麼結構 ？效用是？
2.這種結構如何量界面陷阱跟氧化層陷阱？？
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→ tonybin: MOSFET結構上必然有body diode阿 12/04 19:37
→ numbtkb: 不是吧 那這樣怎麼量charge pumping 12/05 12:46
推 jfsu: 這些界面態電荷不都是用C-V法量嗎? 12/06 01:38
→ numbtkb: 我比較常聽到用CHARGE PUMPING 量 原來CV也可以? 12/06 11:51
推 avp123: 樓上水精靈 12/07 23:34
→ numbtkb: 什麼水精靈 12/08 13:29
→ avp123: jfsu大大 科普之神 12/10 11:53