推 rynan:第6題(C)電流變大 所以Vds側壓變小 還是在歐姆區 01/08 08:11
所以電流變大的話，VDS變小的速度會比VGS大嘍???
那R2變大的話，VDS不是也變小了嗎??
→ rynan:第3題 我覺得Rd要給 不知道對不對 01/08 08:12
→ rynan:說錯 第2題 01/08 08:13
推 wayneplay:其實第2題不用過於複雜化 01/08 12:47
→ wayneplay:以元件特性來分析，因為vt=0.5v，又Vcc=2V，Vcm=? 01/08 12:47
→ wayneplay:會使得元件是在飽和的最大值，且此元件是NMOS 01/08 12:49
→ wayneplay:VGD只要=Vt=0.5V即是在飽和的最大值，又Vd=2V，所以 01/08 12:53
→ wayneplay:Vcm最大為1.5V 01/08 12:53
→ rynan:可是rd也會有壓降阿 題目應該要說很小 01/08 13:07
推 wayneplay:題目說最大Vcm應該是自動將rd歸類為最小了。 01/08 14:53
→ wayneplay:不然如何會有最大Vcm? 01/08 14:54
→ rynan:看來這裡的最大是指所有的rd最大 而不是單一rd的最大 我誤會 01/08 15:35
→ rynan:了 01/08 15:35
推 klinmmm:討論的高手還在嗎? w說的都很有道理 但是VGD=Vt=0.5時 01/08 21:58
→ klinmmm:輸入Vcm應該是 Vcm=VG=VD+0.5=2.5 這樣想哪裡錯了嗎? 01/08 22:00
我也有同樣的問題??
※ 編輯: goodbye177 來自: 114.26.201.207 (01/08 22:43)
推 rynan:(C)電流變大 所以VD會降低 本來VGD已經小於VT 所以更不可能 01/09 00:17
→ rynan:(D)R2變大 VS上升 故VGS變小可進入飽和區 01/09 00:19
→ rynan:R2變大 VD也會變大 且VGS小速度比VDS快 故可以飽和 01/09 00:20
→ rynan:關於第2題嘛 我還是覺得要給RD 所以我不會 SOR 01/09 00:22
→ rynan:又說錯 = = 本來VGD已經大於VT才對 01/09 00:27