你好,我知道因為外加負電壓增強..
會導致n型J-FET中間的通道變狹窄,使之越不導通
VDS的電壓會下降
以上的意義是我了解的@@
而這裡的問題是問breakdown voltage of VDS
我不了解的是breakdown voltage 崩潰電壓...
為什麼會出現在這裡@@?
或者是他代表的就是 VDS 的電壓?
※ 引述《tuwy (盧溝橋)》之銘言：
: ※ 引述《pisces3310 (.......................)》之銘言：
: : 題目
: : For an n-JFET VGS turns more negative, the breakdown voltage of VDS
: : becomes:
: : (a)no change (b)greater (c) smaller
: : 答案是C
: : 這題我不懂breakdown voltage這個部份代表的意義...
: : 我知道電壓越負空乏區越大,通道會越窄..
: : 但是breakdown voltage會怎樣相對的變化呢?
: ==========================================================
: 參考一下....N-JFET的特性圖...你會豁然開朗....
: p5-4
: 最後一行~也有說明...
: 希望幫助到你~
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◆ From: 114.38.109.41
※ 編輯: pisces3310 來自: 114.38.101.63 (09/19 00:48)
※ 編輯: pisces3310 來自: 114.38.101.63 (09/19 00:48)
※ 編輯: pisces3310 來自: 114.38.101.63 (09/19 00:49)