[理工] [電子] MOS通道相關效應觀念?!

[pttderek (pttderek)]

[電路圖]
http://wwwc.moex.gov.tw/examnew1/92/17/315300.pdf
第三題


[市面解法]
通道長度調變:因為Vgd逆偏，使空乏區變大，造成通道長度變短，id變大
基板效應:因為Vsb逆偏，使空乏區變大，造成通道受損，id變小，所以Vt要變大

[個人想法]
以上解法是簡寫過的，主要是列出我觀念不清楚的地方!
為什麼一樣是逆偏使空乏區變大，
但一個解釋成通道變短，另一個解釋成通道受損?！
但一個使id變大?!另一個使id變小

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 203.71.156.249
推 fairwarning:[理工][電子]-標題   您少了一個"-"喔
推 jasonkuo515:這兩個逆偏電壓影響到的空乏區不同 建議你搭配物理結
→ jasonkuo515:構圖來看  通道長度調變Vgd是讓通道尾巴縮成一條線
→ jasonkuo515:縮成一條線的區域就是通道變短的區域
推 jasonkuo515:只要一到一條線的區域 電荷會被強電位差掃到Drain端
→ jasonkuo515:所以電荷只要能到達縮成一條線的區域就必然可以到D端
→ jasonkuo515:也就是說從本來要跑整個通道長  現在跑的距離變近了
→ jasonkuo515:id自然變大
→ jasonkuo515:原本要跑100公里  現在只要跑80公里  能跑完的人一定
→ jasonkuo515:比較多啊
→ jasonkuo515:這邊指的空乏區變大是讓D端附近空乏區變大吃掉通道尾
→ jasonkuo515:至於基體效應的話 是整個通道和基體接觸的地方空乏區
→ jasonkuo515:變大 也就是整個通道都變瘦了 把通道想像成電阻
→ jasonkuo515:變瘦就是截面積變小  電阻變大  V不變R變大所以Id變小
→ jasonkuo515:通道受損的意思是整個通道都變空乏區吃掉一些 變瘦了
→ pttderek:太感激了!!解釋的很淺顯易懂!!正是我想知道的答案!