推 QQkimi:推! 下面那段話XD 02/07 21:13
推 jamtu:簽名檔Q口Q 02/07 21:44
推 SONGya168:格式請修正唷 02/07 23:58
推 wdali:那請問進入飽和區對Rpi的影響是?? 02/08 11:02
※ 引述《wdali (陣雨)》之銘言：
: 題目有點長
: http://www.wretch.cc/album/show.php?i=gratempm&b=5&f=1093244910&p=0
: http://www.wretch.cc/album/show.php?i=gratempm&b=5&f=1093244911&p=1
: http://www.wretch.cc/album/show.php?i=gratempm&b=5&f=1093244912&p=2
: http://www.wretch.cc/album/show.php?i=gratempm&b=5&f=1093244913&p=3
: 想請問第二小題
: 答案給的是D 想請問為什麼??
: 另外A選項呢?
: 謝謝
ic
根據gm = ------ ，因為飽和區內ic急速下降（如圖）
vbe
所以gm會掉很大，這也是為什麼飽和區一般不會拿來當放大器
另外 Cu = Cbc的擴散電容，因為進入飽和區後，base和collector的順偏更嚴重
擴散電容迅速增加導致
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讀電機系你的人生成功了一半，
但是你不會有另一半。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.238.162