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http://www.lib.ntu.edu.tw/exam/graduate/98/98413.pdf 的第2題 P-I-N junction 的空乏區和reverse bias current 會和一般的pn junction有什麼不同嗎 我翻過neamen那本不過沒什麼提這部份 有人手邊有施敏那本有這種題目嗎@@ 能不能請高手給個想法或是意見 謝謝 (還有第四小題根本看不太懂要問什麼= =) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 112.104.15.43
hahaurbeitsi:中間沒有雜質的部分不會改變電場大小 02/21 00:29
hahaurbeitsi:但是Vbi還是一樣 02/21 00:31
hahaurbeitsi:第四小題我也想問 還有第一題高頻下是NPN比較快嗎? 02/21 00:32
Dusuren:第3小題有大大能解釋嗎 02/21 03:08
yenmarch:一樓那請接面電容可以想成把中間的I作為介電質下去寫嗎?? 02/21 08:24
yenmarch:第一提應該就npn吧 電子mobility小 time delay比較小 02/21 08:25
yenmarch: 大 02/21 08:26
trueclamp:這題我有解釋過給winer8板友,可以問他  XD 02/21 13:11
hahaurbeitsi:算電容的話 應該就空乏區加上I那部分一起算就OK 02/21 14:05