推 pony7628:謝謝你嚕 一題5分而以簡單敘述既可感謝妳^^ 03/12 18:38
※ 引述《pony7628 (托小丫)》之銘言：
: 請幫我解釋下列名詞謝謝了
: 不是中文喔 要細說一下功能
: 感激你了@@
: drian included barrier lowering
: channel hot carrier effect
: quasi fermi level
: subthreshold slope
: Degenerate semiconductor
一、汲極導致能障高度降低 (DIBL)
短通道時，VDS增加，使源極能障高度降低，使VT下降之現象
二、熱電子效應
當VDS增加，汲極與基板反偏產生累增崩潰，由於正的閘極電壓
產生之電場，使得部分電子的能量比熱平衡時能量高，稱做熱電子
這時候分三個討論
(1)如果熱電子能量很高，將穿越氧化層形成閘極電流
(2)穿過氧化層的電子一部分被陷阱捕捉，在氧化層中產生一個負
的靜電荷濃度，造成臨限電壓正平移
(3)高能電子跨越Si-SiO2介面時，將額外的介面狀態，造成臨界
電壓的平移，額外的表面散射，以及移動率的降低。
熱電子充電效應將使元件特性衰退，會使元件壽命降低。
好多喔 剩下給其他高手吧
有錯請指正
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