推 QQkimi:看來你半導體已經有下一番工夫了XD 榜首要請吃飯! 嘿嘿! 03/22 11:11
推 jamessuen:真的是高手 謝謝!! 03/22 14:08
※ 引述《jamessuen (猴子)》之銘言：
: http://www.wretch.cc/album/show.php?i=jamessuen&b=9&f=1085162998&p=0
: 我要問的是這題
: 想請問一下題目敘述的NMOS transistor fabricated in the 0.5-um CMOS
: 題目這句話是表示什麼? 0.5要幹麻的?
表示 L 的最小值是 0.5um
但是題目已經給你L是0.5um了，所以沒差
: 還有底下的Cov=0.4 fF/um^2 Cov又是什麼阿?
在Saturation下
Cgs = 2/3 WLCox + WCov
Cgd = 1/3 WLCox + WCov
在Triode下
Cgs = Cgd = 1/2 WLCox + WCov
WLCox是通道長度所帶來的電容
在MOS的製程下，Gate先做好，再做Ion Implantation打上S/D junction
但是接下來某步驟又會經過Anneling加熱，使得S/D junction的離子擴散
造成junction和gate有部分重疊
變成這樣：
__________
| Gate |
-------------------
n+ | | n+
______| |_____
Lov Leff Lov
我們發現 L = 2Lov + Leff
所有的電容 = WLeffCox + 2WCov
(你可以想成Cov = LovCox來理解記憶，雖然不是這樣子)
在Triode region，左右都有channel，電容分一半
Cgs = Cgd = 1/2 WLeffCox + WCov (Leff差不多等於L)
在Saturation region，Drain被pinch-off
可以用Cgs = 2/3 WLeffCox + WCov 以及 1/3 WLeffCox + WCov來估計
至於為什麼...要去問半導體物理大師XD...
值得注意的是你會發現Cox的單位是法拉除以長度的平方
Cov的單位是法拉除以長度
他們分別乘上不一樣東西才會變成電容的單位(法拉)
: 謝謝
: 另外徵求電子學答案交換 我這裡有96.97.98的 要徵94.95的
: 計組答案交換 市面上太少了 我只有96的 希望徵求其他年份
: 或是你也沒有答案想寫完一起對也可以
: 謝謝
最近在準備口試...
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※ 編輯: jamtu 來自: 140.112.244.81 (03/22 10:00)