[理工] [半導體]熱氧化矽、磊晶

[boboptt (boboptt)]

Q1.一層厚度80nm的矽薄膜，使用氧化的方式將Si厚度減薄到50nm，需要成長多厚的氧化層?
(該不會就是80-50=30nm吧?)

Q2.磊晶與鍍膜之差異?
(磊晶我知道是在基板上長單晶，所以磊晶也是鍍膜技術的一種嗎?兩者該如何比較差異?)

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◆ From: 219.85.209.149
推 honestonly:Q1. 30*55/45
→ honestonly:http://118.167.141.68:2500/27032010334.jpg
→ honestonly:老師都叫我們記1.2倍
→ boboptt:是否還要加上Si基板氧化的部分30nm才是題目所問的呢?
→ boboptt:所以是Q1. 30*55/45 +30=66.6nm的氧化層? h大您的圖真清處
推 honestonly:嗯對XDDD
→ honestonly:書上拍的...