[理工] [電子] 想請問有關MOS FET 通道問題

[xxxorc (hghg)]

如題    想請問依個NMOS    是如何產生其通道的呢?

  1     由+VG  將P基版之少數載子吸至SIO2

        疑問      P基版之少數載子濃度不是非常低嗎  真的能當通道??

  2      由+VG 將 兩端N+ 之多數載子吸至SIO2


        疑問    NEAMEN沒這樣寫  且如果是這樣的話

                 要V threshhole 臨界電壓作啥


       請問是1 OR2


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◆ From: 220.143.156.152
※ 編輯: xxxorc          來自: 220.143.156.152      (08/26 22:41)
※ 編輯: xxxorc          來自: 220.143.156.152      (08/26 22:41)
→ xxxorc:改不了標題 @@  誰教教我
推 jamtu:按大T
→ xxxorc:J大謝了
推 sean456:吸引少數載子到達強反轉就可以形成明顯的通道
→ xxxorc:明顯 ?? 明顯的定義?     不用考慮濃度?
推 sean456:強反轉
推 sean456:P型材料的表面會"反轉"成N型而且濃到要到達某個值
→ sean456:                             濃度
→ xxxorc:OK 感謝S大  您的想法應該是跟我看NEAMEN得到的感想是一樣