→ kevintw11:我當初也是這麼想的，不過崩潰電壓應該不等於pinch off 10/23 02:19
→ kevintw11:夾止電壓吧? 10/23 02:19
看今天還是沒有人回覆，所以就斗胆來解說一下
若有任何觀念上的錯誤還請包容
有看過JFET就知道它屬於空乏型操作
將外加Vgs跟Vds分開來討論兩種操作
1。N-JFET 外加 Vds 固定 , Vgs = 0（Id產生且固定）(sat)
當 Vgs < 0 時通道下降 Id也相對下降 (ohmic)
當 Vgs ＝ Vp（負值）時完全截止
2。外加 Vgs = 0 固定 , Vds = 0 (截止)
當 Vds 慢慢增加Id也相對上升(ohmic)，但D側通道因外加電場慢慢萎縮，
當Vds增加到Vds(sat)也就是等於Vgs-Vp時夾止進入飽和區
就單純從Vds(sat)＝Vgs-Vp
這個歐飽交界點來看Vgs調小，Vds一定會下降（同時帶動Id下降）
整個Id-Vds特性曲線圖也就往下縮水囉！
Ｐ型一樣僅極性互換
※ 引述《kevintw11 (不良炒麵)》之銘言：
: 1.為什麼NJFET Vgs越負 崩潰電壓VDS 會越小?
: 那如果是PJFET會一樣嗎?
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