推 a7610312006:主動負載是負載接電晶體 被動負載是接R.L.C 12/24 18:36
→ a7610312006:低參雜濃度在10^15以下 高參雜在10^18以上 12/24 18:38
→ a7610312006:低參雜和一般參雜為一般電阻 高參雜視為金屬 12/24 18:40
→ skyghostlove:謝謝 這樣我懂了 12/24 19:13
大家好:
我想問
問題一
電子學負載的問題
有分為
主動性負載跟被動性負載
它們之間有何功用?又有何差別?
為何又以主動性負載設計居多??
問題二
請問一般半導體的輕摻雜跟重摻雜的定義為何?
有何作用?
書上都沒說到,只有提過幾次而已
但還是看不懂
想請教一些高手
書上突然問了這些問題
我不知道該怎解釋
謝謝
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