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For a 0.8μm CMOS fabrication process V = 0.8V V =-0.9V tn tp 2 2 2 μ C = 90μA/V μ C = 30μA/V C =1.9fF/μm φ=0.34V n ox p ox ox f 1/2 γ=0.5V V (n-channel devices)=8L(μm) and|V |(p-cha.)=12L(μm) A A Find the small-signal model parameters(g r g ) for both an NMOS m o mb and a PMOS transistor having W/L = 20μm/2 and operating at I =100μA D with |V |=1V SB 主要問題是 ...V 應該要怎麼修正才是真正的V 題目給的為L(μm) ! A 知道的麻煩解惑一下 感恩 =____=" -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 125.224.64.173
jack0711:感覺怪怪的,有原題目嗎?? 02/07 17:47
mp8113f:原題目太長 給了一堆參數 同學問的QQ" 02/07 17:47
mp8113f:最後答案的Va=8*2 不知道怎麼修正的 02/07 17:47
jack0711:應該是VA正比於L吧,不知道原題有沒有給別的L值和VA 02/07 17:49
jack0711:來比較 02/07 17:49
mp8113f:我找到原題了 我打一下好了 ! 02/07 17:51
※ 編輯: mp8113f 來自: 125.224.64.173 (02/07 18:00)
mastery7733:好熟悉的題目 02/07 18:04
harrypotter2:VA是通道長度調變效應來的 他題目這樣設就是VA=8*L 02/07 18:08
harrypotter2:而L要用的單位是μm 02/07 18:09
mp8113f:所以L要代入W/L 的2 變成8*2嗎 ? 但是看單位感覺不合理 02/07 18:14
mp8113f:8*2 單位好樣不是V 02/07 18:14
jack0711:他故意整人W/L的單位是um,他把VA定義為VA*L 02/07 18:15
jack0711:所以實際上VA=2V,L=2um,W=20um 02/07 18:16
jack0711:說錯VA=8V 02/07 18:17
harrypotter2:我覺得題目應該要寫VA=[8*L(μm)](V) 比較好 02/07 18:19
mp8113f:他的W/L多一個μm 是屬於W還是L的 02/07 18:19
harrypotter2:但出題的最大... 02/07 18:19
jack0711:還是說他把VA定義為VA/(VDS*L),這個感覺較合理 02/07 18:19
mp8113f:樓上~ 那這樣Vds不就變成未知數 .. 除非是1 02/07 18:20
jack0711:它題目有要用到VDS嗎 02/07 18:23
jack0711:答案ro給多少阿@@?? 02/07 18:26
mp8113f:他那個不是答案 而是求答案的過程 用到Van = Va*2 02/07 18:26
mp8113f:題目沒用到Vds 他求gain 02/07 18:27
jack0711:不是要找小訊號參數?? 02/07 18:29
mp8113f:哦 我剛跳針XD" ron=160k rop=240k 02/07 18:30
Croast:史密斯有寫到這種定義方式 02/07 21:14
mp8113f:感謝樓上 02/07 22:06
sneak: 而L要用的單位是μm https://daxiv.com 09/11 14:53