工研院光電所研發成功氮化鎵（GaN）半導體照明技術
2003/04/18
工研院光電所在氮化鎵（GaN）半導體照明技術上有突破性的技術成果，
研發完成新型的LED（發光二極體）封裝技術，
提升LED照明的發光效率，並完成LED燈具之示範展示推廣，
在4月18日舉行的「氮化鎵（GaN）半導體照明技術成果發表會」現場，
展示光電所研發的LED照明相關產品，預期LED發光效率的提升，
將加速國內次世代LED照明時代的來臨。
工研院光電所所長劉容生表示，2002年全世界LED產值為32.8億美元，
台灣的產值為8.67億美元，佔全世界的27﹪，僅次於日本為世界第二，
國內LED產業今年仍繼續維持高度的成長，未來如何再創LED產業的新商機，
是國內LED半導體廠商急於努力的目標，
被譽為21世紀的環保新光源「白光LED」的商品化是一個好機會。
在技術研發上，光電所一直積極致力於LED照明發光效率之提昇，
以符合照明用的白光LED技術，期能在核心技術上紮根。
LED是由半導體技術所製成的光源，省電而不發熱，
和傳統燈泡比較，它不但體積小、堅固耐震，
操作電壓及溫度低，壽命可達燈泡之十倍以上。
目前市面上LED商品化的發光效率可達15-25流明/瓦比傳統燈泡高50~100﹪，
世界先進國家預測，未來它將取代傳統燈泡，成
為廉價、省電又環保的新光源。
光電所積極致力於LED發光效率的提昇，
目前已經有重大的技術突破成果，
開發完成GaN LED之覆晶
（Flip chip package；將元件晶粒表面朝下封裝之技術）用晶粒，
配合覆晶封裝之需求，並於LED晶粒中增加反射鏡的配置，
可以提高LED之發光效率1.5~2倍。
同時，光電所開新燈板技術，
目前白光LED燈具的應用仍以使用傳統燈泡型封裝形成集束型（cluster）
方式製作燈板，但是因為支架型（lead frame）
與PCB板的組合散熱較差，燈板溫度升高，降低LED發光效率，
同時也影響燈具的壽命，為了解決散熱問題，光電所開發新的燈板技術，
一個燈組由9個晶片組成，每個晶片有獨立的光學設計，
完成GaN LED array 模組封裝技術，配合高功率操作的需求，
開發瓦級LED模組，供燈具使用，此技術有助於提昇LED發光效率。
此外，光電所開發崁燈與投射燈兩種燈具形式，
應用在輔助照明用LED嵌燈、LED投射燈
以及LED景觀燈，平均省電力可達50﹪以上，使用壽命長。
光電所劉容生所長表示，國內LED產業已經相當成熟，
未來LED照明產業極具發展潛力，
光電所在LED發光效率提昇、封裝技術上的精進，
以及開發LED新的應用燈具上皆有不錯的成果，
期能與國外LED照明大廠同步研發，
為國內LED及照明業界進行先期研究，
以協助國內業界在國際LED照明市場中取得有利的市場競爭力。
聯絡電話：(03)5915072 光電所奈米光電半導體中心 許榮宗
聯絡電話：(03)5917624 光電所公關課 徐碧珍
[資料來源]工業技術研究院 http://www.itri.org.tw/index.jsp
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