[半導體產業]英特爾開發新設計,可望改善晶片漏電及過熱現象
路透社
2003-11-05 20:17
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[路透舊金山電]
半導體業巨擘英特爾(Intel)<INTC>周三表示，
已發現一種為電晶體(晶體管)絕緣的突破性方法，
可能解決半導體業界一項最根本的難題：
即在電腦晶片(芯片)不斷縮小的同時，能不流失電能且不增加發熱。
目前半導體製造商所設計的微處理器上電晶體數量越來越多，
而電晶體會像滴水的水龍頭一樣，不斷洩漏出電流。
這也意味著效能越強的晶片所流失的電能也越多，
不但會降低電池壽命，也會散出更多熱能。
這問題會使得筆記型電腦熱得燙手，
也迫使企業必須為伺服器(服務器)電腦架設昂貴的冷卻系統。
為解決此問題，英特爾表示，已為電晶體找到一種新的絕緣材料，
可替代近30年來半導體業界所採用的標準材料二氧化矽。
隨著晶片中電晶體數量增加，
原本僅數個原子層厚的二氧化矽絕緣層會變得更薄，
進而導致洩漏更多電流。
英特爾科技分析師維羅納(RobWilloner)表示，
英特爾的新解決方案是一種稍厚些的高介電常數(high-kdielectric)材料，
這材料可以使電晶體運作時不會發生漏電現象。
維羅納說，因為新的絕緣材料與現有控制電晶體開關的矽閘電極並不兼容，
英特爾將採用金屬製作新型閘電極。
英特爾並未公佈新絕緣材料的組成成分。
該公司表示，正朝著2007年將新電晶體設計量產的目標邁進。
英特爾周四將在東京的技術論壇
InternationalGateInsulatorWorkshop中發表這項新絕緣體設計。(完)
--翻譯莊濤/王燕昆;審校王冠中
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