※ 引述《davince (我常常不在)》之銘言：
: 恩啊～大家都要忙畢業了吧
: 不過我很好奇大家都在做什麼啊？
: 我先說：我作的是hemt，可是由於本group之前作的是led，所以光學量測系統比較完整
^^^^
可以稍微解釋一下這個嗎...@@"
: 像PL，XRD，EL
PL我學長之前有做相關的實驗
目前我做的實驗也是利用光學系統量測LED或其它半導體(Si,Ge,GaAs,InGaN)
例如:OBIC(Optical Beam Induced Current)
EL(Electro Luminance)
OBIC的部份我是使用一脈衝雷射去激發半導體元件來產生暫態電流
透過Phase Lock Loop來量測載子在半導體上傳輸的相位延遲
再利用飛行時間式來計算載子的漂移速度
相關的報導只注重在元件結構及發光特性上，卻沒有有關載子的傳輸特性
載子在材料中的傳輸特性對元件的效率扮演了決定性的角色
此乃有助於了解載子在元件中的傳遞機制進而改善元件結構
並發展出具有更高亮度、更高效率的發光元件。
EL的部份是使用function generator來供給LED一調變電流
LED發出的光透過scanning confocal microscope後被一光偵測器接收
再使用Lock-in Amplifier來放大該該電信號
然後在螢幕上呈現調變後EL的信號
這有助於我們更能了解載子在LED主動區上recombine的速度
: 所以我只能在電性元件hemt上硬作光性分析，不知道這樣可不可以畢業啊～
: 苦惱中～給我個ICP吧
: 以上...不知道大家懂不懂，不懂的也來share一下畢業題目是什麼吧
: ※ 引述《wann (萬子)》之銘言：
: : 發現真的好久都沒po文了說~~~
: : 文章數節節下滑中
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