※ 引述《Hydrisk (明日香)》之銘言：
: ※ 引述《davince (我常常不在)》之銘言：
: : 恩啊～大家都要忙畢業了吧
: : 不過我很好奇大家都在做什麼啊？
: : 我先說：我作的是hemt，可是由於本group之前作的是led，所以光學量測系統比較完整
半導體主要分為兩種：光電元件：如led,光檢測器,ld
高速電子元件：hemt,BJ電晶體等....
hemt就是高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor)，應用在微波的
領域等
: ^^^^
: 可以稍微解釋一下這個嗎...@@"
: : 像PL，XRD，EL
: PL我學長之前有做相關的實驗
恩！PL跟EL唯一不同是一個用光激發，一個用電激發
: 目前我做的實驗也是利用光學系統量測LED或其它半導體(Si,Ge,GaAs,InGaN)
恩～我們這邊也是，不過基板都是用sapphire，buffer為GaN的sample
: 例如:OBIC(Optical Beam Induced Current)
: EL(Electro Luminance)
: OBIC的部份我是使用一脈衝雷射去激發半導體元件來產生暫態電流
: 透過Phase Lock Loop來量測載子在半導體上傳輸的相位延遲
: 再利用飛行時間式來計算載子的漂移速度
: 相關的報導只注重在元件結構及發光特性上，卻沒有有關載子的傳輸特性
: 載子在材料中的傳輸特性對元件的效率扮演了決定性的角色
: 此乃有助於了解載子在元件中的傳遞機制進而改善元件結構
: 並發展出具有更高亮度、更高效率的發光元件。
: EL的部份是使用function generator來供給LED一調變電流
: LED發出的光透過scanning confocal microscope後被一光偵測器接收
: 再使用Lock-in Amplifier來放大該該電信號
: 然後在螢幕上呈現調變後EL的信號
: 這有助於我們更能了解載子在LED主動區上recombine的速度
用EL可以看出recombine的速度嗎？
: : 所以我只能在電性元件hemt上硬作光性分析，不知道這樣可不可以畢業啊～
: : 苦惱中～給我個ICP吧
: : 以上...不知道大家懂不懂，不懂的也來share一下畢業題目是什麼吧
想不到也有人跟我作差不多的啊～其他人在作什麼勒？
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: 我踢!╭○╯☆ ○ˊ
: （╱ ≡≡ <） 唉呀~~我的屁股~
: ╰ ˊ╯
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