推 foreverthere:寫得太好了 這篇千萬不能刪除啊 !!! 02/25 00:22
推 leptons:AZ6200是哪邊的光阻阿? 02/25 00:45
推 sort897:就說是亂寫的，就是個例子啦！ 02/25 07:43
目前實驗室從以前學長到現在我想已經累積了很多製程的技術！
及很多器台手冊(如NDL、SRC、NSRRC)，
不過目前應該沒有一個地方，也沒有任何一個人有完整的資料！
萬一有經驗的學長一走，我想很多技術又要重頭開始！
而最近應該蠻多學弟都跟著博班及碩二的在學習機器及製程！
所以我有個想法，也請大家看看，也給個意見。
1.我們博班及碩二會帶碩一學製程如(nanowire or nanogap or etc....)
而學弟負責把詳細的製作流程及結果詳錄下來！
我舉個誇張的例子(1nm 的nanowire製備)
setp 1
a. New SOI wafer, cut into 1cm*1cm
b. RCA clean
DI water 5 min
H2OSO4:H2O2 3:1 10min
DI water 5min
HF:H2O 1:100 30s
DI water 5min
SC1 10 min
DI water 5min
SC2 10min
DI water 5min
HF 30s
DI water 5min
c. Dry oxide
1200 oC 1hr
N&K measure(objcetive thickness=3000um , real thickness = 3010 um)
d. Photolithography
HMDS 5min
AZ6200 (step 1:500 rpm, 30s, step 2 : 5000 rpm, 100s)
soft back 150oC 5min
乙台+filter (40s) 200mj/cm2
FHD-5 100s
DI water 100s
Microscopy measure(objctive width = 5 um, real wdith = 10um)
e. etch oxide
BOE 5min
DI water 5min
ACE 5min
DI water 5min
H2SO4:H2O2 3:1 10min
DI water 5min
f. SPL
HF 5min
DI water 1min
PtIr (-100V, scan speed = 100um/s)
KOH (50oC, 1hr)
DI water 1min
SEM(objective width 1nm, real width = 10nm)
......................................................
感覺寫的很細很煩，但是我覺的對新手會很有幫助，
因為實驗會常失敗，其實就是常常忘了這些小細節！
先看看大家意見怎麼樣，若大家覺的還不錯
我會從帶陳宥任及許振庭開始，實施這樣的作法，
到時候再跟各位表告成效！
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