半導體中心的爐管
之前做的時候發現他的參數和實際上有差距
例如: <100> 950度C 30分鐘 Dry oxide 會長出193A的SiO2
這是本子上的參數
但是我們照這樣做去量出來大概是270A
但我昨天仔細看了之後發現
他的參數中 所通的O2氣體的量是2500cc/min(2.5L) 還有N2 5000cc
而我們實際做的是3750cc 沒有通N2
所以我們通02的量比參數表上多了1.5倍
因此預測厚度也是1.5倍
而270/193=1.4
因此 那本的參數還是蠻準的
至於為什麼要通3750cc 而不通2500cc 我猜測是為了要讓管內保持正壓
恩 大致是這樣 這是我昨天作爐管的心得 給大家參考
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