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大家好 我的問題是 我在SI上長20000A的SIO2 然後製作週期為300~600nm 線寬為100nm深度為100nm的1D或2D結構 我至今最好的SEM圖是邊緣有破裂的 換言之無法用於paper或申請文件上的 有沒有人有辦法或其它資源的 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.5.24
MicroOptics:順便問一下 PDMS要如何照SEM呢 06/14 20:31
cmkv7rdf:先渡一層金屬鈀材在上面 在用SEM照會比較清楚 06/14 20:47
cmkv7rdf:記得貼銅膠帶在sample上增加導電度! 06/14 20:48
serve:用dual beam FIB切完後 傾倒直接照cross section SEM 06/15 00:44
oactioner:鍍金屬建議選用Pt表面比較平整 鍍黃金是比較常見 06/15 00:48
oactioner:剖面通常都是 就是倒過來剖面向上 底下黏10元硬幣 06/15 00:50
chiio:s大的方法也是我們所採用的方法,效果不錯 06/15 20:27
chiio:另外請問一下原po,你們100nm的線寬是用什麼pattern出來的呢 06/15 20:28
chiio:E-beam嗎? 還是其他方法呢? 06/15 20:28
Timsteven:不然掃AFM吧 krkr 06/16 12:38