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各位板大您們好: 因為我在論文上見到一種設計方式叫做MOS操作在旁路BJT的模式,簡單的說就是把MOS 跟BJT做在一起,是由Eric A. Vittoz這位學者所發表的,他在做低功率放大器裡面應該 是個大咖,這樣的設計法對於降低1/f有怎樣的優點呢?? 此外在一些文獻上所標的符號 如下圖: | | --- || Vcascp ---|| Mc2 || --> | | 中的Vcascp適合意,指的是NMOS串接NPN嗎??也就是上述的設計法?? 請解惑~~ 感激不盡!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.231.219
Ice98:幫你轉至Electronics板!~ 11/07 20:50