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想請問大家,如果我有個wafer, 正面有電極、壓電薄膜, 然後背面想要用KOH以氮化矽做擋罩來作背蝕刻, 然後正面的部分目前是使用壓克力+Oring來做保護。 但是我發現在拆這個夾具的時候,正面的電極跟壓電材料仍然有被強鹼傷害到的風險 所以想請過板友們,我要怎麼做才可以擋住KOH 在電極、壓電薄膜那面spin 光阻會有幫助嗎? 有的話是哪種光阻比較好? 謝謝各位~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.38.83
Ice98:一般光阻都擋不住KOH, SU8擋完之後又很難去除掉 04/14 16:48
Ice98:如果你的電極材料不是Au的話, 可以考慮用Cr/Au去擋 04/14 16:54
playbin:那可以KOH改用TMAH 04/14 23:32
hungin:光阻也擋不住TMAH.. 04/16 02:23
ybchen:如果是正光阻 本身顯影液就是強鹼類型 不曝光的話是可以撐 04/16 12:01
ybchen:但是只是比較慢 還是會被攻擊 如果要泡很久就不適合了 04/16 12:01