補充一下
稀土元素的氧化物當然也有可能產生缺陷
不過要看有無 PL 的重點在於: 在能隙中有無缺陷所導致的能級
搞懂這點, 就會知道整個材料是否完全由稀土元素的氧化物所組成
跟是否有 PL 是全然無關的
打個比方: Si 摻雜 P 可以增加導電率
並不等價於整塊 P 的導電率會更好 :P
至於氧空缺要怎麼由實驗來研究
我不是做這種實驗的, 所以詳情不清楚
但是聽說過同步輻射的 near edge 光譜可以看出點端倪
※ 引述《Keelungman (:3)》之銘言：
: Sorry I cannot type Chinese on this computer :P
: Rare earth (稀土) defects provide inter-gap levels in the original oxides,
: and the inter-gap levels allow PL appearing in the oxides
: So you can see PL in such oxides with rare earth defects
: If you use pure rare earth oxides,
: you will have simple band gaps without defects levels.
: Since there are no inter-gap defects levels in pure rare earth oxides,
: you cannot find out PL there :)
: Oxygen vacancies way distorts local electronic structures and Fermi level
: so they do affect on the PL
: ※ 引述《Supra ( )》之銘言：
: : 一般來說會將稀土元素摻雜到氧化物中造成發光
: : 想請教一些問題
: : 為何不直接用稀土氧化物發光??
: : 另外 摻雜會用2+ 或3+表示 但是摻雜進去確實是這樣的狀態嗎???
: : 有需要驗證它嗎???
: : 像這種題目會去探討缺氧與否嗎???
: : 以及做這方面的研究除了PL以外 大概需要做哪些量測分析???
: : decay time???
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在達文西過世四個月後，麥哲倫展開了人類歷史上的首次環球航行。
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