作者Ice98 (又寂寞又美好)
看板NEMS
標題Re: [問題] SU8-50 Develop
時間Fri Jun 12 15:07:03 2009
※ 引述《cp2jp6 (大頭)》之銘言：
: ----------------實驗開始---------------
: 我們想利用su8-50做出高度100um寬度60um長度500um的凹槽(深寬比:?)
^^^^^^^^
凹槽的線寬較小,
如果過度曝光或是膠片光罩沒和wafer contact很密,
可能局部照射到紫外線而產生反應,
造成之後無法用顯影液洗去.
: 因此我們講光阻塗佈於Si Wafer上
: 也在塗佈光阻前先塗佈hmds
^^^^^^^^
做SU-8塗HMDS會有反效果
: 問題來了
: 經過軟烤、曝光、顯影後凹槽卻一直無法吃穿...
: 之前也嘗試過將wafer放入丙酮以超音波器先震盪個數分中後再放入顯影液以超音波震盪
: 顯影"40分鐘"，雖然結構有吃穿但是仍然不漂亮
顯影液如果已經污濁 就要直接換一盆新的
: 好...今天做了一次
: 一樣直接泡入顯影液以超音波震盪器震盪40分鐘(我知道這時間對su8原廠參數來說已經
: 很扯了)
: 期間每隔五分鐘以氮氣吹乾...翻面
: 但是今天卻仍然無法吃透
: 附上全部製程過程
: 希望高手能幫我看看哪裡出錯
: 製程:(塑膠光照)
: 1.wafer先以食人魚清洗
: 2.塗佈hmds-烤乾
^^^^^^^^
去除此步驟
: 3.塗佈su8-50(500rpm-25s.1000rpm-35s)
: 4.軟烤(加熱平板)2分鐘升五度.65度停10min.95度停30min-自然降至室溫
: 5.曝光:500mJ/cm^2
這兩道步驟間會稍微靜置約十分鐘
讓照射到紫外線的地方均勻反應
: 6.曝後烤:(加熱平板)2分鐘升五度.65度停3min.95度停10min-自然降至室溫
: 7.顯影....@@"
: ---------------------------------------
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◆ From: 140.112.14.54
※ 編輯: Ice98 來自: 140.112.14.54 (06/12 15:08)
推 Jinuse:DuPont的RD說 反應是在後面的 曝後烤 可以用烤箱試試 06/12 15:34
抱歉 我之前可能沒有寫清楚
應該是曝光完後要稍微靜置一下
再拿去曝後烤 加速反應
推 LittleHwa:隨然不是非常正式，但是你可以減少一點點曝後烤的時間， 06/12 16:27
→ LittleHwa:試試看。 06/12 16:28
※ 編輯: Ice98 來自: 140.112.14.54 (06/12 19:54)