Re: [問題] SU8-50 Develop

[cp2jp6 (大頭)]

綜合以上觀點
我把整個製程有可能引起失敗的地方提出來

1.曝光能量過強
我是根據廠商資料，也選擇曝光能量500mJ/cm^2
不過剛剛研究室內也在討論可以著手開始降曝光能量了

2.塑膠光照
這的確是個很嚴重的問題
我們之前做過玻璃光照
是送去交大請人代工...
不過一來一回時間會拖到
因此在送光罩的同時會先以手邊能輕易取得到的東西開始實驗
關於塑膠光罩與wafer貼合這一點
我們實驗室是選擇在塑膠光罩上壓一片載玻片...
我也看過其他研究是朋友是直接用膠帶把wafer黏在塑膠光罩上的
不知道各位是否有更好的方法呢??

3.曝後烤烘箱
耶...
我們沒這東西噎...
之前在南台科技大學也有聽學長他們su8製程是使用烘箱
如果效果這麼大的話我就找我們老師敗一下了
不過還是想現場請教，以烘箱烘烤的效果真的比加熱平板好嗎？
結果明顯嗎？

4.HMDS
其實為什麼要用這個致癌物質來當SU8黏著層我依然無解
因為之前看板上好像都推薦OMNICOAT，HMDS好像沒有效果
不過接下來我會開始選擇不用HMDS來嘗試
另外版大於上篇提到的HMDS會影響到製程
請問會影響到哪部分呢
因為之前我一直把他做為SU8與玻璃的黏著層
不知道是否可以在WAFER上使用

最後可能是我自己異想天開的問題
光阻經過旋轉塗佈.軟烤後其實仔細觀察整個光阻表面並不是水平的
仍然有些許的凹凸
今天假設光罩乃玻璃光罩置放於其上
但仍會產生部分地方凹陷不與光罩接觸
扣除儀器的缺陷，假設光源為垂直光源～～
那是否在接觸到不平的SU8表面時垂直光源就不再是垂直光源了?
這是我的想法~是否有可能呢?
(因為我們整個製程的尺寸凹槽真的有點小，也因此之前忽略的製程細節或小影響在
這邊都浮現了)

感謝板上的各位幫我解答問題
其實我也是在經過多次試驗之後
腦代開始浮現”無解”這兩個字
接下來可能會朝向曝光能量降低開始著手
希望能有好的結果
ＴＨＸ！

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) 
◆ From: 140.123.124.203
推 Jinuse:曝光量不知道是不是唯一個問題 一般曝光劑量會考慮基板種類
→ Jinuse:還有光罩種類 膠片光罩會多0.5倍 軟烤會凹凸代表附著性不好
→ Jinuse:另外塑膠光罩應該是直接接觸試片的 為何可以用載玻片壓他??
→ Jinuse:是不是放反了??
推 hungin:交大貴儀送光罩要快速取決於你送光罩圖檔的速度與積極程度
→ hungin:通常只要你在月初預約後馬上將圖檔上傳"並打電話告知操作員
→ hungin:你要親自去跟他確認光罩"..通常若不是旺季..一個星期內你的
→ hungin:光罩就做好了,親自跑一趟絕對有幫助,又快圖檔又不出錯
推 hungin:另外,操作員人都很好,月初通常很多人都先預約圖檔還未上傳
→ hungin:此時操作員都很樂意在不影響別人的前提下盡量幫你趕工..
推 Ice98:推樓上的 這個月上傳不到一星期 還沒去拿光罩就已經寄到了XD