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事情是這樣的 本來考慮到 ITO wet etch很難控制 而且我的pattern很容易被吃掉 所以改用 dry etch 但是由於在dry etch (Cl2+HBr)時候 pohotoresist 被吃的速度也很快 所以踹參數時候都是吃個幾十秒拿出來量ITO 最後覺得etching 夠了就收工 事後把PR洗掉後發現 電極仍然倒通 原因是有pattern的部分沒有蝕刻乾淨 當初在踹 ITO dry etch時候是量沒有pttern的部分 (這是疏忽的地方) 現在想要補救一下這一批 所以想改用 wet etch再吃一下 因為沒有PR在表面 (我的表面只剩下 非晶矽檔在ITO上面) 所以 我想不適合用 HCl+HNO3的配方 我想改用草酸 草酸會和 Si反應嘛 這就是我現在的問題 google中沒有人特別提到這點@_@a -- ═╗╔╗╔╮ ˙ 。 ╠═╯ ╔╗ ╔╯╔╦═╗ ╦ ╠╬╯ ═ ═╯˙ ╭╯╰╮ ●┐ ╚╗╠╬═╣ ╬ ═╬╯ ═ ═╗ ╗╠═ = ║╚╬═╯ ╩ ↙║↘ ↙ ║ ╯║↘ ˙   ) \\●╰╯╰╬═╝ ╰╯ ╰╯ ╰╯ ╚══╝ )))﹏﹏﹏﹏ ∮momo1025 & dais /\ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 128.97.11.107
paullai:應該是不會XD 11/12 10:23