推 paullai:應該是不會XD 11/12 10:23
事情是這樣的 本來考慮到 ITO wet etch很難控制
而且我的pattern很容易被吃掉 所以改用 dry etch
但是由於在dry etch (Cl2+HBr)時候 pohotoresist 被吃的速度也很快
所以踹參數時候都是吃個幾十秒拿出來量ITO
最後覺得etching 夠了就收工 事後把PR洗掉後發現 電極仍然倒通
原因是有pattern的部分沒有蝕刻乾淨
當初在踹 ITO dry etch時候是量沒有pttern的部分 (這是疏忽的地方)
現在想要補救一下這一批 所以想改用 wet etch再吃一下
因為沒有PR在表面 (我的表面只剩下 非晶矽檔在ITO上面)
所以 我想不適合用 HCl+HNO3的配方 我想改用草酸
草酸會和 Si反應嘛 這就是我現在的問題 google中沒有人特別提到這點@_@a
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