作者s75287 (彈珠汽水)
看板NEMS
標題Re: [問題] 蝕刻問題
時間Sat Feb 13 12:09:37 2010
※ 引述《panzerfausty (海王子)》之銘言:
: ※ 引述《s75287 (彈珠汽水)》之銘言:
: : 我現在substrate 是 glass
: : 上面有一層ITO
: : ITO上面有一層 Al
: : 我想問如果我想用濕蝕刻ITO 當我先做好第一層Al的的圖案後
: : 我用 HCl+HNO3+H2O去濕蝕刻ITO 這樣Al會不會被蝕刻??
: : 因為我想用 lift-off 製程作 Al圖案 所以蝕刻ITO時候 會沒有光阻
: 小弟我對ITO濕蝕刻沒有經驗,但還是對原PO的方式有些懷疑...
: 鋁是兩性元素,活性又高,在HCl/HNO3中應會起反應...
: 用一般RIE硬做borbardment etch又會傷到上層的鋁,所以建議您是否找得到
: 或借得到microwave plasma etcher,用H2O plasma(一般晶片製造上用來乾
: 式去光阻的機台啦)去"反應"掉ITO,會有您想像不到的奇效喔!
這方法 應該不可行
因為我曾經用過 Cl2 氣體乾性蝕刻 ITO
之後發現 PR有點難去除乾淨 所以曾經用過上述機台去除
ITO不會被去除 PR因為變質了 也去不太掉
反而是放進去處理有機物的 Pirahna (食人魚) 硫酸+雙氧水 (1:1) 加熱100度
ITO 被全部吃光.....
也因為乾蝕刻 反而會導致光阻弄不掉....所以我想換個方法
目前看來 還是得回到乾蝕刻....
或者是 草酸蝕刻ITO是否會好一點??? Al還是會被吃掉嗎?!
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ccfg ▊██ ˙ ▍ ▏
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◆ From: 128.97.11.107
推 Jinuse:有用過ALEG去光阻嗎 02/13 17:53
→ s75287:這我們好像沒有? 02/13 21:50