→ modernpkman:材料? 03/19 22:50
→ leox243:會有UNDER CUT... 03/19 23:00
→ fotoa:是可以25到30的深寬比...不過還是要看被吃的材料跟阻擋層... 03/21 00:19
→ fotoa:還有孔與孔的間隙...不能太小...最終最大的問題應該是...... 03/21 00:20
→ fotoa:有機台願意讓你試這種的參數...這件事應該是最難... 03/21 00:21
→ asdwqq:oxide 03/21 10:36
推 hungin: 6um的厚度,..看來原po是想蝕刻CMOS MEMS的晶片吧 03/23 14:25
推 hungin:根據原po前一個問題..推想原po是下CIC的CMOS MEMS後想要後 03/23 14:38
→ hungin:製程把oxide去除..如果是全部要去除不考慮undercut除了SV3. 03/23 14:39
→ hungin:還有個方法...HF vapor,查查paper試試吧..不過要注意安全 03/23 14:40