※ 引述《knoben (pop)》之銘言：
: 恩再次謝謝 Jeff兄的回答 我一開始希望能夠從6micron吃到3micron 高度我是沒測
: 以我的條件大約要吃20分左右 然後度Cr以後發現 度了Cr的矽還是都會跟KOH作用
: 搞了半天 試了一些條件 弄不出來才上來請教的
我瀏覽一下Cr的濕蝕刻並沒看到KOH
http://www.sut.ac.th/engineering/electrical/mems/wet_etchants1.pdf
但表中確實有些含OH-的溶液，所以KOH到底會不會吃Cr不確定
不過，你用過RIE蝕刻過的Silicon 表面太粗糙，粗糙度大於Cr的厚度，Cr當然沒辦法
順利完整覆蓋保護底下的Silicon，所以KOH滲進去蝕刻Silicon，造成你整個表面的崩潰
我建議第一你把金屬鍍厚一點，然後Cr拿來當黏著層就好，再度一層金
: 今天做了以後發現到如果處理過玻璃表面(piranha+NH4OH/H2O2/H2O)再去度Cr
: 其實Cr黏的OK 也不會跟KOH作用剝落 不過如果只有用有機溶劑洗洗玻璃表面
: Cr就黏的不好 不過樣本數少 還是要再試試
應該是你的Acetong或是這一類的solvent沒有洗乾淨，或是鍍金屬前沒徹底dehydration
"只要substrate表面乾淨，Cr跟Ti是兩種最普遍用來當黏著層的金屬"。
若Cr沒有用，基本上也不用試其他金屬了
: 試到現在的結果 如果RIE越久 Cr就越容易作用 看起來20分鐘是不可能
: 只希望短時間RIE以後 polystyrene小球跟刻的洞不會黏在一起就好了
: 我問過金etchant 製造商說要開證明才能買 有點小麻煩 Jeff兄你們也得開證明
我前面推文有說，用王水就可以了，沒有很困難，不過請在抽風櫃裡做，避免吸入蒸氣
: 才能買這玩意嗎?不過如果試了以後 Cr/Au可以弄成我希望的結果 那也只能買了
: 我google了一下DRIE 好像都是刻成像溝槽的形狀 不過我希望是刻成像凹進去的金字塔
: DRIE可以刻成像這樣的形狀嗎??
DRIE是非等向性蝕刻，你要做成到金字塔形狀，有可能。Passivation大於etch就可達到
但你若不是玩DRIE的老手，或是詳知運作原理的話，試參數有難度。
而且試出來的倒三角形深寬比會頗大。
: 不好意思 我是這方面的新手然後又多問了一些問題 希望不會太佔據版面
: 如果版主覺得不妥請告訴我 謝謝
: PS 似乎Jeff兄也在米國 就祝您感恩節愉快:) 謝謝
你一開始文章有說Cr原先在KOH裡面OK，所以基本上可假設KOH不吃Cr(短時間),
所以假設是表面粗糙度的問題，或是假設你表面RIE之後不夠乾淨。
所以我的建議是第一加厚Cr, 或是多加Au
第二是RIE之後把你的subsrate再去用Piranha然後BHF(或稱 BOE)清洗。
洗完記得Dehydration徹底一點
: ※ 引述《Jeffch (Jeff)》之銘言：
: : 那RIE後diameter剩多少呢?如果是6 micron吃到剩3 micon那etching時間還蠻久的說。
: : 另快吃掉以後Bead的高度剩多少呢?
: : 你是說原本該是被Cr覆蓋的地方也開始反應嗎?
: : oxide對金屬都是比較差的，不過Cr應該還不錯
: : 如果先把native oxide吃掉會黏得好一點
: : Cr/Au是指下面一層Cr當Adhesive Layer上面一層Au是主要的MASK，所以可以先用
: : Gold Etchant (TFA,...)把Au先吃掉再用Cr Etchant (Cr-7,...)吃Cr。
: : DRIE是Deep-RIE，可較一般RIE擁有更高的Aspect Ratio和更好的Selectivity。只要10um
: : 的光阻就足以吃穿整片wafer。
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