我再看了一次原PO的文章
其實我看不是很明白原PO的製程步驟
不過既然RIE只有開O2 plasma, 所以不會對Silicon表面有影響
所以我上一篇文章看看就好。跟蝕刻後的表面粗糙度無關
而是原PO第二次鍍Cr時substrate表面太髒導致附著力不佳。
改善方法? 第一還是先鍍一層Au 確定不是因為KOH吃Cr
若這一點排除，還是不行，那可能無解。因為我想你表面的"小球"應該無法承受
任何Solvent或是Piranha的清洗
我很好奇你第二次鍍Cr的時候你第一層的Cr 在哪裡?
你若是沒辦法在第二次鍍Cr之前讓你substrate夠乾淨，基本上應該無解。
RIE 的O2 plasma專門燒有機的，會讓substrate表面更乾淨，不會因此讓si跟Cr黏著
性變差。除非你表面的有機沒有燒乾淨。SiO2或是SiNx跟Cr的黏著性都不錯。
※ 引述《SkyLark2001 ( )》之銘言：
: ※ 引述《knoben (pop)》之銘言：
: : 恩再次謝謝 Jeff兄的回答 我一開始希望能夠從6micron吃到3micron 高度我是沒測
: : 以我的條件大約要吃20分左右 然後度Cr以後發現 度了Cr的矽還是都會跟KOH作用
: : 搞了半天 試了一些條件 弄不出來才上來請教的
: 我瀏覽一下Cr的濕蝕刻並沒看到KOH
: http://www.sut.ac.th/engineering/electrical/mems/wet_etchants1.pdf
: 但表中確實有些含OH-的溶液，所以KOH到底會不會吃Cr不確定
: 不過，你用過RIE蝕刻過的Silicon 表面太粗糙，粗糙度大於Cr的厚度，Cr當然沒辦法
: 順利完整覆蓋保護底下的Silicon，所以KOH滲進去蝕刻Silicon，造成你整個表面的崩潰
: 我建議第一你把金屬鍍厚一點，然後Cr拿來當黏著層就好，再度一層金
: : 今天做了以後發現到如果處理過玻璃表面(piranha+NH4OH/H2O2/H2O)再去度Cr
: : 其實Cr黏的OK 也不會跟KOH作用剝落 不過如果只有用有機溶劑洗洗玻璃表面
: : Cr就黏的不好 不過樣本數少 還是要再試試
: 應該是你的Acetong或是這一類的solvent沒有洗乾淨，或是鍍金屬前沒徹底dehydration
: "只要substrate表面乾淨，Cr跟Ti是兩種最普遍用來當黏著層的金屬"。
: 若Cr沒有用，基本上也不用試其他金屬了
: : 試到現在的結果 如果RIE越久 Cr就越容易作用 看起來20分鐘是不可能
: : 只希望短時間RIE以後 polystyrene小球跟刻的洞不會黏在一起就好了
: : 我問過金etchant 製造商說要開證明才能買 有點小麻煩 Jeff兄你們也得開證明
: 我前面推文有說，用王水就可以了，沒有很困難，不過請在抽風櫃裡做，避免吸入蒸氣
: : 才能買這玩意嗎?不過如果試了以後 Cr/Au可以弄成我希望的結果 那也只能買了
: : 我google了一下DRIE 好像都是刻成像溝槽的形狀 不過我希望是刻成像凹進去的金字塔
: : DRIE可以刻成像這樣的形狀嗎??
: DRIE是非等向性蝕刻，你要做成到金字塔形狀，有可能。Passivation大於etch就可達到
: 但你若不是玩DRIE的老手，或是詳知運作原理的話，試參數有難度。
: 而且試出來的倒三角形深寬比會頗大。
: : 不好意思 我是這方面的新手然後又多問了一些問題 希望不會太佔據版面
: : 如果版主覺得不妥請告訴我 謝謝
: : PS 似乎Jeff兄也在米國 就祝您感恩節愉快:) 謝謝
: 你一開始文章有說Cr原先在KOH裡面OK，所以基本上可假設KOH不吃Cr(短時間),
: 所以假設是表面粗糙度的問題，或是假設你表面RIE之後不夠乾淨。
: 所以我的建議是第一加厚Cr, 或是多加Au
: 第二是RIE之後把你的subsrate再去用Piranha然後BHF(或稱 BOE)清洗。
: 洗完記得Dehydration徹底一點
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