推 lockq:我同意本篇原PO的看法! 11/30 07:39
推 knoben:不知道一般都是怎麼dehydration? 把wafer拿到hotplate上烤 12/01 05:37
→ knoben:嗎? 還是有別的辦法呢? 謝謝 12/01 05:38
※ 引述《knoben (pop)》之銘言：
恩若是我的話我會先不要放小球，鍍Cr之後放KOH當作對照組。
若可行的話表示你放小球那一步驟影響了Cr的附著力，
到時候再看怎麼改進。
若一樣擋不住的話表示你要再鍍其他金屬來當阻擋層
: 謝謝您的回答
: 我的步驟就是先放小球 度Cr 弄掉小球 KOH蝕刻
: RIE是放小球後 度Cr前做的
: 並沒有度第二層Cr
: 表面太髒阿.....確實如您所說不能用piranha因為小球是有機物
: 我會試試用金跟Cr 來做做看
: 再一次謝謝您的回答
: ※ 引述《SkyLark2001 ( )》之銘言：
: : 我再看了一次原PO的文章
: : 其實我看不是很明白原PO的製程步驟
: : 不過既然RIE只有開O2 plasma, 所以不會對Silicon表面有影響
: : 所以我上一篇文章看看就好。跟蝕刻後的表面粗糙度無關
: : 而是原PO第二次鍍Cr時substrate表面太髒導致附著力不佳。
: : 改善方法? 第一還是先鍍一層Au 確定不是因為KOH吃Cr
: : 若這一點排除，還是不行，那可能無解。因為我想你表面的"小球"應該無法承受
: : 任何Solvent或是Piranha的清洗
: : 我很好奇你第二次鍍Cr的時候你第一層的Cr 在哪裡?
: : 你若是沒辦法在第二次鍍Cr之前讓你substrate夠乾淨，基本上應該無解。
: : RIE 的O2 plasma專門燒有機的，會讓substrate表面更乾淨，不會因此讓si跟Cr黏著
: : 性變差。除非你表面的有機沒有燒乾淨。SiO2或是SiNx跟Cr的黏著性都不錯。
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