推 knoben:謝謝您的建議 金保護我試過了 沒問題 之後就是試除水 12/04 03:06
※ 引述《SkyLark2001 ( )》之銘言：
: 標題: Re: [問題] RIE 蝕刻
: 時間: Mon Nov 29 20:52:35 2010
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: 推 lockq:我同意本篇原PO的看法! 11/30 07:39
: 推 knoben:不知道一般都是怎麼dehydration? 把wafer拿到hotplate上烤 12/01 05:37
: → knoben:嗎? 還是有別的辦法呢? 謝謝 12/01 05:38
基本上放到hotplate上面烤
時間溫度因人而異 但最低不要低於一百一十度
若是hotplate上面有鋪鋁箔的話，一般說法是表面溫度會低於設定溫度十度C左右
若沒鋪鋁箔而且是接觸式(底下會吸真空讓substrate緊貼plate表面)的，
溫度會比較接近hotplate的設定溫度
有些人要放到兩百度C烤五分鐘 這是舊型SU8的recipe上推薦的
若是洗過的wafer用spin rinse drier轉乾的話 基本上我就一百一烤個三到五分鐘交差
若只是用氮氣槍吹乾的，難免會有水氣殘留，烤久一點會比較穩
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