[問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻

[areckin (女王萬歲)]

請問在使用O2 RIE蝕刻擁有grating結構的光阻時
要如何選擇氣體流量(快慢)、工作壓力(高低)、蝕刻時間(長短)
才不會蝕刻完結構有明顯的改變?

我蝕刻的主要目的是要把凹進去的殘餘光阻吃掉
好讓silicon露出來


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photoresist
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silicon wafer
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◆ From: 175.181.131.101
推 Zoma:深寬比是多少呢?
→ areckin:有1:1和2:1(寬:深)的
推 Zoma:這樣的深寬比應該還好...不用像ICP作側壁保護~但也沒辦法就是
→ Zoma:不能用曝光的方式顯掉不要的光阻嗎?用蝕刻的要用啥當遮罩呢?
推 kuanun:應該只是想有uv o3 那種效果把殘餘光阻清一清?
→ areckin:我那層光阻大概有200~300nm的厚度,我用20sccm,0.02mbar,
→ areckin:1~2min吃完後掃AFM凹進去的地方仍然不是平坦的wafer表面
→ areckin:有人有更好的蝕刻參數可以提供給我測試嗎?
推 SkyLark2001:看樣子是壓印吧，關於壓印清光阻的相關文獻多到不能再
→ SkyLark2001:多，你可以參考一下
→ areckin:有參考過但是文獻提到的RIE參數似乎不太適用..都吃不乾淨
→ areckin:沒錯,我的結構是壓印得到的但是殘餘光阻厚度我沒法估計