[問題] 光阻去不完全

[melvyn (Aeneas)]

我最近在作黃光顯影的pattern
做完之後，鍍上金，要去光阻卻發現，光阻去不完全

不曉得是什麼原因，原本是用sputter鍍金
後來討論之後，才知道sputter的金鍍上去會太穩固
改用e-beam鍍金後，再做一次去光阻
結果用肉眼看，就明顯看到基板上的光阻沒去完
原本以為只是個小實驗，卻拖了這麼久

我現在想到的唯一問題是出在光阻，因為光阻到期時間是2009年


ps.光阻是EPG-512，顯影液EPD-1000
   光阻厚度約1μm

   預烤150度 45min
   軟烤90度  30min
   硬烤120度 30min

   接觸式曝光機  70v 300w
   uv照射時間4.8s
   顯影時間  25s

   鍍上10nm的金

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.128.194.201
→ shtsao:原PO是在做舉離(lift-off)嗎
→ shtsao:可以用加熱顯影液的方式or 加熱丙酮
→ melvyn:恩 我是在做lift-off  s大是說加熱丙酮??在去做lift-off?!
推 oreoctrl:烤的時間是data要求的嗎? 正光阻1um 應該不用這麼久阿
→ oreoctrl:我是使用AZ系列，加熱過久的光阻會比較難移除
→ melvyn:我這是學長留下來的數據，因為學長之前做的都ok
→ melvyn:我想仿照做一次，才發現有很多問題
推 nevinyrrals:丟到丙酮裡面拿去超音波震一震就OK了
今天試過了一些方法

1)丙酮+超音破震盪機震了3小時→光阻未去除
2)丙酮加熱到45度C，維持45度C，手拿夾子夾樣品晃了30分鐘→光阻未去除
3)過氧化氫+硫酸，(用量調配4:1；3:1；2:1；1:1)→光阻未去除
  沒試過將硫酸調高比例，因為我怕硫酸會腐蝕表面的金薄膜
4)最後微影後的硬烤時間縮短，目前正在試
  (時間由原本的30min調整為25；20；15)

如果還是不行，我是不是要換一罐新的EPG-512了啊?!
因為已經過期兩年了
※ 編輯: melvyn          來自: 140.128.194.201      (05/05 20:03)
推 kuanun:降低硬烤溫度跟軟烤溫度一樣試試看
推 vivianleigh:要做lift-off就不要硬烤了
推 Jinuse:應該不是光阻過期的關係 ACE去不掉的話可以降硬烤溫度
→ Jinuse:或是用專業的PR STRIPPER 例如我們用ALEG系列的 很好用
→ Jinuse:另外你的PROCESS寫得很怪  沒有照時間順序 這樣比較難討論
嗯哼...那我重打一遍我的流程

首先，樣品先經過丙酮、IPA、DI洗滌 (樣品為不銹鋼與Silicon oxide)

預烤 150度C 45分鐘

上光阻(光阻型號：EPG-512)，利用旋轉塗佈機
旋轉塗佈機 設定STEP 1： 轉速 1000；秒數  5秒
               STEP 2： 轉速 6000；秒數 40秒

接著，軟烤 90度C 30分鐘

開始曝光顯影，採用接觸式曝光機
曝光機 設定 70V；300W
曝光秒數：4.8秒

進行顯影，顯影液型號EPD-1000
顯影秒數：25秒
顯影完後，使用DI沖洗，DI沖洗時間：25秒

在進行最後硬烤 120度C 30分鐘

接著使用E-beam鍍金，電流：121mA
鍍金厚度為10nm

然後進行舉離，使用過的方法就如同上面修改文章後說的
※ 編輯: melvyn          來自: 220.131.64.35        (05/05 23:33)
推 nevinyrrals:不然就不要硬烤?我做lift-off軟烤顯影完就丟進去E-gun
→ nevinyrrals:通常硬烤是要用強腐蝕性物質etching才要硬烤
推 quaintness:lift-off 還硬烤 還烤那麼久...○rz
推 threedices:都要lift-off了..真的不必烤到硬..
→ threedices:光10nm Au 真的黏的住嗎?  (還有看的到嗎?)