※ 引述《endlessbbs ()》之銘言：
: 各位大大好，小的目前在學習做MEMS製程
: 目前在規劃製程的犧牲層時遇到了困難點，還請各位高手不吝指點
: 在我的製程步驟中，有一步驟須先沉積約5um犧牲層，之後在上面蒸鍍Ni
: 根據以前學長的文獻犧牲層若選用AZ-4620或是PI在蒸鍍時鎳薄膜都會有破裂的問題
: 想請問依照各位大大的經驗，使用何種材料當犧牲層會比較洽當呢?
可以請你更詳細敘述你的製程嗎?
你既然用犧牲層來形容，我假設你那一層犧牲層之後是要泡有機去除的
但這樣就不make sense了，因為你的Nickle不可能free standing像一個
cantilever bean一樣
又有可能假設你這邊說的sacrificial layer是要用來level的併不用去除
比方說你wafer上蝕刻出一個5 um深 的trench然後你要用黃光顯影對準的方式
填一個5 um厚的光阻進那個坑
這種事我做過但是對妳上面要鍍金屬膜並不實用，詳細原因我不敘述了，
反正這樣做表面的粗糙度會大於你的金屬膜厚度導致你金屬膜的不連續
其實我可以跟你保證金屬膜絕對可以成功的deposit在光阻上
軟硬烤時有沒有成功的釋放光阻的內應力，post bake完有沒有RIE descum
以及你有沒有用adhesion layer，你metal layer的thickness,
甚至光阻表面有沒洗乾淨有沒有完全吹乾都會影響
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