感謝您的詳細說明
照敘述判斷是你步驟第二十四步出現龜裂的情況
這邊還有兩個問題，第一是第24步nickel的厚度
第二是龜裂是什麼樣子?
是 1. 整片wafer全部都是均勻的龜裂
2. 龜裂痕跡跟步驟20的patterning有關
還是3. 龜裂痕跡跟步驟15的支柱有關
另外直接切入重點，推測什麼NI熔點過高，所以蒸鍍讓光阻軟化，或是鎳的硬力大於光阻
這類的都不是正確的主因。你問你周圍所有在用4620做lift-off的人，鍍完金屬後再
去除光阻前整個wafer表面光阻上的金屬層會不會龜裂?
我做過，4620上面鍍Cr/Ni然後 liftoff, 沒有(明顯的)龜裂。
建議你直接用一個空白的silicon wafer，直接做步驟22, 23, 24，看會不會龜裂。
會的話，答案最簡單，你的黃光參數要改，或是你光阻太舊有問題。
若不會龜裂，一樣是要改黃光參數，不過會麻煩很多
※ 引述《endlessbbs ()》之銘言：
: 先感謝大大熱心給予建議>"<
: 我把製程流程PO上來(PPT檔)，並再做個說明
: 大大可從第四頁開始看就好，網址:http://ppt.cc/8W8l
: 我的元件是個類似懸臂的結構的電容式靜電感測器
: 我會先在晶圓上沉積Cr/Ni種子層後，沉積光阻定義並電鑄電性傳導支撐柱
: 之後將光阻一除再次沉積，定義底部圖形將底部的Ni/Cr蝕刻出定義樣子
: 之後再次移除、旋塗光阻當犧牲層，開始蒸鍍(PVD)懸臂結構的Ni薄膜
: 最後犧牲層會用有機溶劑移除
: 根據以前學長的文章，在做這到步驟時鎳薄膜會有破裂的問題
: 推測可能是Ni熔點過高，導致蒸鍍時腔體的高溫讓光阻軟化
: 加上鎳的應力遠大於光阻因此產生薄膜龜裂的現象
: 他嘗試過AZ-4620跟Polyimide都無效
: 所以想請問是否有方法或是其他材料可以改善這問題
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