[問題] Electrowetting的device

[voices (總是昏睡中~)]

先說明我是外行的 第一次試作 沒有MEMS製程的background

我主要是要作偏droplet材料跟介面現象的探討 比較偏純科學的部分

所以目前就是要先確定droplet下面那些layers的製程

就是我想問有關electrowetting的insulating layer的部分


我有大概查一下paper

每個group的做法不太一樣

Jason Heikenfeld的是用atomic layer deposition去coate Al2O3
他另一篇算偏技術整理的paper有說用Plasma-enhanced CVD也可以
他們的device弄出來的特色就是applied voltage很低

我應該是可以借到Plasma-enhaced CVD (PECVD)的設備 還沒去問


有看交大徐文祥老師他們家一篇paper
(要做的東西跟他們差太多 沒有看很多他們的paper)
他們是用SU-8當insulating layer的材料
厚度跟Heikenfeld是的差不多 但是要用電壓還是很大
而且不是很清楚SU-8曝光之類有的沒的處理方式
(感覺去問有PECVD的lab的人應該知道要怎麼弄?)

目前看到最簡單的做法就是用只用Teflon coat上去電極上 (化材人的做法)
電壓跟徐老師家的用的差不多
不過他們是用ionic liquids當droplet的材料


也有看到用直接在Silicon wafer上面長一層SiO2當insulating layer
然後在coat PS當hydrophobic layer或是在上面長hydrophobic monolayer



總之方式五花八門 我只知道厚度跟dielectric constant會影響電壓跟角度變化

還有就是Heikenfeld paper裡面提到會漏電跟degrade之類的情形



想請問一下一般做electrowetting的人 都怎麼決定製程

還是大家就是照學長姐留傳下來的方式去做 Orz


除了直接用Teflon coat上去那個方法外

其他方法我都要另外去找做實驗的設備、買chemicals
(電壓方面實驗室已經設備了 不管高壓低壓 直流交流)

方便度(或是說不方便度)都差不多 有點難決定要用哪個方式

其實我比較想用Heikenfeld的方式 可能是因為現在看的papaer大多是他的

但是有更簡單的方式 就會想用最簡單的那個 (直接coat Teflon)

不過Heikenfeld提到Teflon這種fluoropolymer films的porousity的問題

會導致electric breakdown

這樣又很難決定




我有想過先弄簡單的 然後開始先試做

邊做邊決定看要用哪種製程


不知版上有做相關研究的人建議是?


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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 198.82.19.38
※ 編輯: voices          來自: 198.82.19.38         (09/24 00:57)
推 s75287:Teflon 太薄了我都用 Cytop 不稀釋 2um 沒有breakdown問題
→ voices:所以你是直接把Cypto上電極 這樣只coat一層嗎?
→ voices:用Teflon的那個group 他們是用dip-coating 厚度可以到2-4um
→ voices:不過他們厚度測量方式是用capacitance measurement
→ voices:感覺用這個推算厚度會有問題 但是可以check漏電的問題?